高密度プラズマによりウェット同等のダメージレスアッシングを実現する製造・加工機械です。イオン遮蔽トラップによりイオンを完全にシールドし、基板にはラジカルのみを供給します。この装置はハイレートとダメージレスアッシングを両立させ、小型基板・化合物半導体・ＭＥＭＳデバイスに対応。また、ＭＥＭＳ製造プロセスの有機膜犠牲層除去にも優れた効果を発揮し、ハイエンドＭＥＭＳデバイスの製造には必須のレジストアッシング装置となっています。