半導体、MEMS、電子部品などに最適です。単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜までの高速かつ安定な連続成膜が可能です。プラズマエミッションモニターによる元素検知や発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御など、先進の技術を搭載しています。特に、特長的なDeposition構造や独自のスパッタカソード、ムービングマグネットなどの特性により、圧電特性に寄与する軸長を最大限に長くすることができます。さらに、CVD室や蒸着室、プラズマクリーニング室の組み合わせも対応可能です。