トランジスタの製品一覧

OptiMOS-TOLTパッケージは、新しいトップサイド冷却パッケージで、優れた熱性能を実現します。TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージは、高性能パッケージの提供を拡大するために導入されました。このパッケージは、大電流・低背の利点に加え、トップサイドクーリングによる効果的な熱性能を提供します。特長は低RDS(on)、高電流定格、上面冷却、ネガティブスタンドオフなどです。詳細はPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FPは、8A 650VのTO220 Full Pakパッケージであり、省エネに貢献できる特徴を持っています。低オン抵抗、超低ゲート電荷重、耐高dv/dt、高いUIS特性、耐高ピーク電流、増相互コンダクタンス・パフォーマンスなどの特長があります。

マイクロン株式会社は、電子部品・モジュールの製造会社です。当社の製品であるN-CHANNEL JFET LSK389は、半導体・ICの中でも高品質な素子です。東芝製2SK389にも対応しており、コンパチ製品として使用することができます。

BOURNSはMOS構造のゲート入力とバイポーラ・パワー・トランジスタを組み合わせたIGBTを開発しました。TGFS技術により、低い飽和電圧と低いスイッチング損失を実現しています。高電圧や大電流のアプリケーションに最適で、現在のリードタイムは24週です。

ICE20N60は、アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社が製造する20A、600VのTO220パッケージのパワーMOSFETです。低オン抵抗、超低ゲート電荷重、耐高dv/dt、高いUIS特性、耐高ピーク電流、増相互コンダクタンス・パフォーマンスを持ち、電源メーカーによる採用実績があります。電子部品・モジュール、半導体・IC、トランジスタなどの製品開発に使用可能です。在庫は16kあり、香港より出荷可能。MOQは1スリーブ（50pcs）です。

X線リフローシミュレーターは、加熱炉を装置内部に設置することでリフロー環境を実現し、はんだが溶融する過程をリアルタイムで観察することができます。N2環境にも対応しており、温度は常温から400度まで設定可能です。

CS8201は、最大80VDCのハイサイドでの動作や独立したハイサイドとローサイドのTTL互換ロジック入力動作など、さまざまな特徴を持っています。さらに、独立したシャント出力により、ハイサイドとローサイドのターンオン期間とターンオフ期間を柔軟に調整することが可能。GaN FETドライブ回路を効率的に制御するための高性能なICです。

ICE20N60Bは、高性能な20A, 600VのパワーMOSFETです。電源メーカーに採用実績があり、電源マネージメントの省電力化に貢献します。耐高電圧や低オン抵抗、低ゲート電荷重、高UIS特性など、優れた特性を持っています。TO263-2L (D2PAK)パッケージで提供され、香港からの出荷となります。

Potens社製『MOSFET』は、幅広い電圧範囲（低耐圧から高耐圧まで）に対応し、SiCやGaNなどの最新技術も採用しています。Potensは台湾のFABレスメーカーであり、パワー半導体製品の開発に特化。CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFET、IGBT、GaN、Super Junctionなど、豊富な品種を取り揃えており、さらに他社の代替品としても利用可能です。

HIS smdシリーズは、独自構造により省エネルギー化された小型で強力なSMDパッケージの赤外線放射源です。金ナノロッド構造による広帯域で高効率の赤外線放射を提供し、不要な波長域の出力をカットしています。ポータブルアプリケーションに最適であり、エミッタの形状は柔軟に製造可能です。ウィンドウ無しの製品の他に、Si-ARC、サファイア、ZnSeのウィンドウが選択可能です。

旭テック株式会社の1350V 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーションに最適な製品です。TO-247パッケージには、高性能な20A IGBTと独自の保護ゲートドライバICが組み合わせられています。この製品の利点はボードの複雑さとコストの低減、デザインインの手間やコストの削減です。IH設計に必要な電流検出回路も内蔵されており、シンプルかつ高性能なソリューションを提供します。

株式会社理経が提供するMarktech社の『マルチ波長エミッタ』は、複数の発光素子を一つのパッケージに実装しています。UV～短波長赤外までの発光素子が選べ、受光素子も追加実装可能です。複数の波長の光センシングが1つのパッケージで行えるため、カスタム対応も可能。

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは、22A, 600VのTO-263(D2PAK)パッケージのパワーMOSFETです。低オン抵抗、超低ゲート電荷重、耐高dv/dt、高いUIS特性、耐高ピーク電流、増相互コンダクタンス・パフォーマンスという特長を持ち、電源メーカーに採用されるほどの信頼性があります。 電源マネージメントの省電力化に貢献する製品です。

『OptiMOS-TOLGパッケージ』は、高い性能とシステム全体の効率化を実現するTO-Leadless (TOLL) パッケージです。この薄型パッケージは大電流にも対応し、温度サイクルにも耐えるガルウィングリードを採用。高効率、低EMI、高電力密度の利点を持ち、ボードサイズを60%低減することができます。

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社が提供するICE10N60FPは、電源マネージメントの省電力化に貢献する製品です。TO220 Full Pakパッケージで、10A, 600Vの性能を持ち、低オン抵抗や超低ゲート電荷重、耐高dv/dt、高いUIS特性などの特長があります。

当社は、パワーデバイスの包括的な評価と検証のためのサービスを提供しています。専門知識と高度な技術を活かしたコンサルティングにより、お客様のスケジュールに合わせたサポートを提供です。また、先進的な試料加工技術と洞察力を活用して、故障箇所を特定し可視化します。さらに、最新の設備を使用したパワーサイクル試験や液槽熱衝撃試験なども実施し、パワーデバイスの信頼性を確保できます。

高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに適しています。POINT NINE社は、RF パワートランジスタのマーケットにおいて最高級品質の製品を目指しており、MIL-Q-9858、MIL-I-45208、およびISO 9001：2000取得済みです。製品ラインアップには28V RF MOSFET'sと12V RF MOSFET'sがあります。

『λ-Amp 1040』は、半導体ベースながら1Wの出力が可能な光増幅器です。広帯域の30dB利得帯域を持ち、あらゆる波長帯域で高いパフォーマンスを発揮。安定性とスペクトル純度も高く、精密な分光計測などに適しています。製品価格は125万円からで、アイソレータやコントローラも別途購入可能。