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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE20N60B
高性能パワーMOSFET ICE20N60B
ICE20N60B
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ネジアイコン製品概要

ICE20N60Bは、高性能な20A, 600VのパワーMOSFETです。電源メーカーに採用実績があり、電源マネージメントの省電力化に貢献します。耐高電圧や低オン抵抗、低ゲート電荷重、高UIS特性など、優れた特性を持っています。TO263-2L (D2PAK)パッケージで提供され、香港からの出荷となります。

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ICE20N60B
高性能パワーMOSFET ICE20N60B
製品概要

ICE20N60Bは、高性能な20A, 600VのパワーMOSFETです。電源メーカーに採用実績があり、電源マネージメントの省電力化に貢献します。耐高電圧や低オン抵抗、低ゲート電荷重、高UIS特性など、優れた特性を持っています。TO263-2L (D2PAK)パッケージで提供され、香港からの出荷となります。

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
設立年:2004年 資本金:250000万円
マップアイコン 東京都江東区青海2丁目7-4the SOHO 0603
業種 電子部品・半導体

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