製品概要
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株式会社セイワ
製品概要BOURNSはMOS構造のゲート入力とバイポーラ・パワー・トランジスタを組み合わせたIGBTを開発しました。TGFS技術により、低い飽和電圧と低いスイッチング損失を実現しています。高電圧や大電流のアプリケーションに最適で、現在のリードタイムは24週です。
株式会社セイワ
BOURNSはMOS構造のゲート入力とバイポーラ・パワー・トランジスタを組み合わせたIGBTを開発しました。TGFS技術により、低い飽和電圧と低いスイッチング損失を実現しています。高電圧や大電流のアプリケーションに最適で、現在のリードタイムは24週です。
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