革新的なソースダウン技術を使用したOptiMOSパワーMOSFET製品ラインアップが拡張されました。高い電力密度と性能、優れた熱性能を保有し、センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化するなど、利点が数多くあります。低いPCB損失やPCB寄生容量の低減も実現しています。
革新的なソースダウン技術を使用したOptiMOSパワーMOSFET製品ラインアップが拡張されました。高い電力密度と性能、優れた熱性能を保有し、センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化するなど、利点が数多くあります。低いPCB損失やPCB寄生容量の低減も実現しています。
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