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株式会社アイテス
LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiC MOSFETの拡散層を観察-一貫対応可能
LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
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LV-SEMとEBIC法を使用したSiC MOSFETの拡散層観察サービスを提供しています。特定箇所の断面作製や拡散層の形状観察に加え、配線構造や結晶構造の解析まで対応可能。さらに、PEM/OBIRCH不良箇所特定やTEMによる解析など、多様な解析手法も取り扱っています。

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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiC MOSFETの拡散層を観察-一貫対応可能
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LV-SEMとEBIC法を使用したSiC MOSFETの拡散層観察サービスを提供しています。特定箇所の断面作製や拡散層の形状観察に加え、配線構造や結晶構造の解析まで対応可能。さらに、PEM/OBIRCH不良箇所特定やTEMによる解析など、多様な解析手法も取り扱っています。

株式会社アイテス
設立年:1993年 資本金:10000万円
マップアイコン 滋賀県大津市栗林町1番60号
業種 電子部品・半導体

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