LV-SEMとEBIC法を使用したSiC MOSFETの拡散層観察サービスを提供しています。特定箇所の断面作製や拡散層の形状観察に加え、配線構造や結晶構造の解析まで対応可能。さらに、PEM/OBIRCH不良箇所特定やTEMによる解析など、多様な解析手法も取り扱っています。
LV-SEMとEBIC法を使用したSiC MOSFETの拡散層観察サービスを提供しています。特定箇所の断面作製や拡散層の形状観察に加え、配線構造や結晶構造の解析まで対応可能。さらに、PEM/OBIRCH不良箇所特定やTEMによる解析など、多様な解析手法も取り扱っています。
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