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株式会社アイテス
パワーデバイスの故障解析
パワーデバイス不良箇所特定・観察の受託解析サービス
パワーデバイスの故障解析
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ダイオード、MOS-FET、IGBTなどのパワーデバイスの故障解析を行う受託サービスを提供しています。最適な前処理を行い、裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析によって不良箇所を特定し、リーク不良箇所の物理観察や元素分析も実施可能です。各種サンプル形態に対応し、高い抵抗性や低電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応しています。特急対応も可能です。

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ダイオード、MOS-FET、IGBTなどのパワーデバイスの故障解析を行う受託サービスを提供しています。最適な前処理を行い、裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析によって不良箇所を特定し、リーク不良箇所の物理観察や元素分析も実施可能です。各種サンプル形態に対応し、高い抵抗性や低電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応しています。特急対応も可能です。

株式会社アイテス
設立年:1993年 資本金:10000万円
マップアイコン 滋賀県大津市栗林町1番60号
業種 電子部品・半導体

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