株式会社アイテスは、ダイオード、MOS-FET、IGBTなどのパワーデバイスの故障解析を行う受託サービスを提供しています。最適な前処理を行い、裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析によって不良箇所を特定し、リーク不良箇所の物理観察や元素分析も実施可能です。各種サンプル形態に対応し、高い抵抗性や低電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応しています。特急対応も可能ですので、お問い合わせください。